信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极反向击穿 电压 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82

检测项：集电极-基极击穿电压BVcbo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：C、E间击穿 电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-发射极电流 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《高稳定薄膜固定电阻器总规范》 GJB 1929-1994

检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《片式膜固定电阻器通用规范》 GJB 1432B-2009

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>