北京尊冠科技有限公司

检测项：3011 集电极-发射极击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：集电极－发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：集电极－发射极饱和电压或集电极－基极电压（适用时） VCEsat 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

贵州天义电器有限责任公司电气检测中心

检测项：晶体管电特性测试 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：吸合电压 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980

检测项：电压降测定 检测样品：民用直流接触器 标准：牵引电器基本试验方法ZBK63003—1988

机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：集电极-发射极饱和电压Vce(sat) 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：集电极-发射极击穿 电压V（BR）EO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR) CEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR) CEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>