中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

检测项：集电极--发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：集电极-发射极维持电压VCEO 检测样品：DC／DC变换器 标准：SJ 20646-1997《混合集成电路DC／DC变换器测试方法》

检测项：集电极-发射极维持电压Vceo 检测样品：光电耦合器 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极 –发射极截止电流ICEO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极反向击穿 电压 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82

检测项：集电极-发射极饱和电压Vces 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：集电极--发射极截止电流ICEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-发射极电流 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：集电极－发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：3011 集电极-发射极击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：集电极－发射极暗电流或集电极－基极暗电流（适用时） ICBO 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>