中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：集电极-发射极暗电流 检测样品：光电耦合器 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：集电极发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-发射极截止电流（ICEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

检测项：集电极-发射极电流 检测样品：整流二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：集电极—发射极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：集电极—发射极饱和电压 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：集电极—发射极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和压降VCE(sat) 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

机械工业仪器仪表元器件质量检验所

检测项：反向击穿电压 检测样品：光学零件镀膜 减反射膜 标准：JB/T 9478.12-1999光电池测量方法 反向击穿电压

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

中兴通讯股份有限公司材料实验室

检测项：PD反向击穿电压 检测样品：光纤连接器 标准：PIN-FET光接收组件测试方法 YD/T 702-1993

检测项：PD反向击穿电压 检测样品：光纤连接器 标准：PIN-FET光接收组件测试方法 YD/T 702-1993

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法4016

检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011

检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4021.2

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>