您当前的位置:首页 > 7.电压影响
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市
检测项:电压驻波比 检测样品:移动通信系统基站天线 标准:《移动通信系统基站天线技术条件》 YD/T 1059-2004 《天线标准测试程序》 IEEE Std 149TM-1979(R2008)
机构所在地:广东省深圳市
检测项:输出电压和电流 检测样品:电子元器件 标准:微束分析 能谱法定量分析 GB/T 17359-2012
检测项:恒温恒湿试验 检测样品:电子产品 标准:高温、偏置电压、寿命试验 JESD22-A108D-2010
检测项:交变湿热循环试验 检测样品:电子产品 标准:恒定湿热、偏置电压、寿命试验 JESD22-A101C-2009
机构所在地:广东省佛山市
检测项:基极-发射极 饱和电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法
检测项:发射极-基极 击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法
检测项:集电极-基极 击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法
机构所在地:湖北省宜昌市