西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.5-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇 测试方法 1.3

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法4016

检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011

检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4021.2

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

沈阳产品质量监督检验院（沈阳产品质量监督检验研究院、沈阳安全生产监督检验研究院）

检测项：最高温度 检测样品：可燃性粉尘环境用电气设备：正压保护型“pD” 标准：可燃性粉尘环境用电气设备第7部分：正压保护型“pD” GB12476.7-2010

检测项：耐热试验 检测样品：可燃性粉尘环境用电气设备：正压保护型“pD” 标准：可燃性粉尘环境用电气设备第7部分：正压保护型“pD” GB12476.7-2010

检测项：耐寒试验 检测样品：可燃性粉尘环境用电气设备：正压保护型“pD” 标准：可燃性粉尘环境用电气设备第7部分：正压保护型“pD” GB12476.7-2010

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：电阻器 标准：《电子设备用固定电阻器第一部分:总规范》GB/T5729-2003

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：反向击穿电压 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3

检测项：反向击穿电压 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分 总规范 GB/T2693－2001 第4.5、4.6、4.7、4.8、4.9条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T2693-2001

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：反向击穿电压（V(BR)CEO） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：反向击穿电压（V(BR)） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向击穿电压V(BR) 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：静态功耗PD 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范

检测项：静态功耗PD 检测样品：半导体集成电路（电压比较器） 标准：1.SJ/T10805-2000半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：晶振 标准：GJB1648A-2011 晶体振荡器通用规范 GJB2138-94 石英晶体元件总规范 GJB/Z45.1-93 军用压电器件系列型谱 石英晶体元件

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>