半导体光电耦合器中反向击穿电压的检测

检测项：反向击穿电压 检测样品：半导体光电耦合器 标准：SJ/T2215-20155.4 半导体光电耦合器测试方法

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

正畸支抗钉中化学成分(Ga Rh Ge Au Pb In Li Co Sn Ir Pd Pt Mn Ag Be Na Zn Cd Ba Ca Fe Ni Cu Cr Mo C H O N S Ti Si B Al V Zr Nb P)的检测

检测项：化学成分(Ga Rh Ge Au Pb In Li Co Sn Ir Pd Pt Mn Ag Be Na Zn Cd Ba Ca Fe Ni Cu Cr Mo C H O N S Ti Si B Al V Zr Nb P) 检测样品：正畸支抗钉 标准：YY/T1779-2021 牙科学 正畸支抗钉

检测机构：医药医疗器械检测中心 更多相关信息>>

工业闭式齿轮油中四球机试验（烧结负荷，PD）的检测

检测项：四球机试验（烧结负荷，PD） 检测样品：工业闭式齿轮油 标准：GB/T 3142-1982（2004）

检测机构： 更多相关信息>>

油品中承载能力（PB/PD/ZMZ）的检测

检测项：承载能力（PB/PD/ZMZ） 检测样品：油品 标准：润滑剂承载能力测定法(四球法)GB/T 3142-1982(2004)

检测机构：国家石油石化产品检测中心 更多相关信息>>

油品中承载能力（PB/PD/ZMZ）的检测

检测项：承载能力（PB/PD/ZMZ） 检测样品：油品 标准：GB/T 3142-1982(2004) 润滑剂承载能力测定法(四球法)

检测机构：北京优测科技发展有限公司 更多相关信息>>

中兴通讯股份有限公司材料实验室

检测项：PD反向击穿电压 检测样品：光纤连接器 标准：PIN-FET光接收组件测试方法 YD/T 702-1993

检测项：PD反向击穿电压 检测样品：光纤连接器 标准：PIN-FET光接收组件测试方法 YD/T 702-1993

检测项：PD暗电流 检测样品：光纤连接器 标准：光纤活动连接器 第1部分：LC型 YD/T 1272.1-2003 MU型单模光纤活动连接器技术条件 YD/T 1200-2002 光纤活动连接器 第3部分：SC型 YD/T 1272.3-2005 单模光纤活动连接器 第4部分：FC型 YD/T 1272

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

机械工业仪器仪表元器件质量检验所

检测项：反向击穿电压 检测样品：光学零件镀膜 减反射膜 标准：JB/T 9478.12-1999光电池测量方法 反向击穿电压

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：功耗PD 检测样品：低频电连接器 标准：低频电连接器复验技术条件 Q/QJB 156-2008

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>