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YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
检测项:漏-源击穿电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:反向击穿电压 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3
机构所在地:四川省成都市
检测项:击穿电压和电气强度 检测样品:云母制品 标准:绝缘材料电气强度试验方法第一部分:工频下试验 GB/T 1408.1-2006 (IDT IEC60243-1:1998)
检测项:击穿电压 检测样品:155、180、200级浸漆玻璃丝包铜扁线和玻璃丝包漆包铜扁线 标准:绕组线试验方法 第5部分:电性能 GB/T 4074.5-2008/IEC 60851-5:2004
检测项:击穿电压 检测样品:180级聚酯亚胺漆包铜圆线 标准:绕组线试验方法 第5部分:电性能 GB/T 4074.5-2008/IEC 60851-5:2004
机构所在地:江苏省苏州市
机构所在地:云南省昆明市
机构所在地:浙江省杭州市
检测项:介电性能试验 检测样品:低压开关设备和控制设备 断路器 标准:低压开关设备和控制设备 第二部分:断路器 GB14048.2-2008 IEC 60947-2:2006+A1:2009
检测项:介电性能试验 检测样品:低压开关设备和控制设备 标准:低压开关设备和控制设备 第1部分:总则 GB 14048.1-2006 IEC 60947-1:2007+A1:2010
检测项:介电性能试验 检测样品:低压开关设备和控制设备 标准:低压开关设备和控制设备 第1部分:总则 GB 14048.1-2006 IEC 60947-1:2007 +A1:2010
机构所在地:上海市