您当前的位置:首页 > 介电击穿电压和介电强度
YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
机构所在地:浙江省杭州市
机构所在地:广东省深圳市
机构所在地:广东省深圳市
机构所在地:广东省深圳市
检测项:成品电缆击穿电压试验 检测样品:轨道交通车辆用电缆 标准:交流额定电压3kV及以下 轨道交通车辆用电缆 GB/T12528-2008
机构所在地:河北省唐山市
检测项:耐电压 检测样品:2类瓷介固定电容器 标准:电子设备用固定电容器 第9部分:分规范:2类瓷介固定电容器GB/T5968-1996
检测项:耐电压 检测样品:2类瓷介固定电容器 标准:电子设备用固定电容器 第9部分:分规范:2类瓷介固定电容器GB/T5968-1996
检测项:耐电压 检测样品:电子设备用固定电容器 标准:电子设备用固定电容器 第9部分:分规范:2类瓷介固定电容器GB/T5968-2011
机构所在地:山东省济南市
检测项:集电极-基极击穿电压Vcbo 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
检测项:发射极-基极击穿电压Vebo 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
机构所在地:湖北省武汉市