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机构所在地:北京市 更多相关信息>>
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机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
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机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:输出低电平电压VOL 检测样品:DC/DC电源模块 标准:混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997
检测项:低电平接触电阻 检测样品:低频电连接器 标准:GJB1216-1991 电连接器接触件总规范 QJ1903-1990电连接器总规范
检测项:输出低电平电压VOL 检测样品:半导体集成电路采样/保持放大器 标准:GB/T14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理
检测项:输出低电平电压VOL 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
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机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
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检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项:输入低电平电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输出低电平电压 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G 方法3006.1
检测项:输入低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3010.1
检测项:输入低电平电压 检测样品:电子元器件 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.3条
机构所在地:江苏省无锡市 更多相关信息>>
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检测项:输出低电平电压 检测样品:时基电路 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项:低电平输出电流 检测样品:时基电路 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000
检测项:A/D数字输入低电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:微电路测试方法 MIL-STD-883H:2010 方法4004.2