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羟值(Hydroxylvalue) 1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。 羟值 测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式 查看详情>>
羟值(Hydroxylvalue)
1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。
羟值测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式
收起百科↑ 最近更新：2017年03月21日
检测项：动作电流整定值 检测样品：电压继电器 标准：电压保护装置与电压继电器标准 JB/T 9562-1999
检测项：电压线圈动作值校验 检测样品：电流继电器 标准：电流继电器与保护装置标准 JB/T 9575-1999
检测项：测量工频参考电压和持续电流 检测样品：避雷器 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准GB 50150-2006
机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>
检测项：输出高电平时电源电流 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项：输出低电平时电源电流 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：输出电压漂移 检测样品：直流稳定电源 标准：微小型计算机系统设备用开关电源通用规范 GB/T14714-2008
检测项：供电系统及所连设备谐波、电压波动和闪烁 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：电磁兼容 限值 谐波电流发射限值（设备每相输入电流≤16A ）
检测项：电磁敏感度/电磁抗扰度 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：最大输出电流IDM 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
检测项：最大输出电流 IDM 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
检测项：逻辑输出电压电平 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：输出短路电流 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：输出高电平 电流 检测样品：运算(电压)放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
检测项：输出低电平 电流 检测样品：运算(电压)放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：运算(电压)放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：高电平输出电流IOH 检测样品：电压比较器 标准：GB/T 6798－1996《半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理》
检测项：低电平输出电流IOL 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377－1996《半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理》
检测项：电压波动和闪烁 检测样品：额定电流不大于16A的设备（EMC） 标准：GB 17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 IEC61000-3-3：2005 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统
检测项：输出电流调整率 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：输出电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996
检测项：B、E饱和电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982
检测项：C、E间击穿 电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：输出特性 检测样品：1.0级以下交直流电流表、电压表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》GB/T7676.1-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第2部分：电流表和电压表的特殊要求》 GB/T7676.2-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件
检测项：电压试验 检测样品：1.0级以下交直流电流表、电压表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》GB/T7676.1-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第2部分：电流表和电压表的特殊要求》 GB/T7676.2-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件
检测项：倾跌 检测样品：1.0级以下交直流电流表、电压表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》GB/T7676.1-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第2部分：电流表和电压表的特殊要求》 GB/T7676.2-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件
