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羟值(Hydroxylvalue) 1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数,以mg KOH/g表示。 羟值 测试仪器:针入度电脑式、针入度数显式 查看详情>>
羟值(Hydroxylvalue)
1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数,以mg KOH/g表示。
羟值测试仪器:针入度电脑式、针入度数显式
收起百科↑ 最近更新:2017年03月21日
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:固定电感器 标准:电子设备用固定电感器_第2部分_分规范表面安装电感器 SJ/T 11287-2003
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:半导体三极管 标准:半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管GB/T 4587-1994
检测项:电流传输比 检测样品:半导体集成电路电压调整器 标准:半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理GB/T 4377-1996
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:场效应管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:电流传输比 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:共发射极静态电流传输比HFE 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:发射极--基极截止电流IEBO 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:共摸抑制比KCMR 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ
检测项:电流传输比 检测样品:光电 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:共发射正向电流传输比 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-发射极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:共模抑制比 检测样品:数字集成 电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:正向电流传输比HFE 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:发射极-基极截止电流IEBO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:电流传输比 检测样品:电容器 标准:半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法 SJ2215.10-1982
检测项:正向压降 检测样品:光耦合器 标准:半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982
检测项:集电极-发射极反向击穿电压 检测样品:电容器 标准:半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:正向电流传输比hFE 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:正向电流传输比hFE 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:电流传输比hF(ctr) 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件
检测项:正向电流传输比HFE 检测样品:场效应管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:电流传输比hF(ctr) 检测样品:光电耦合器 标准:半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性 GB/T 15651.2-2003
检测项:正向阈值电压下的输入电流 检测样品:TTL电路 标准:半导体集成电路TTL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:正向电流传输比hFE 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
检测项:电流传输比hF(ctr) 检测样品:光电耦合器 标准:《半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
检测项:静态电源电流ID 检测样品:电压比较器 标准:《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》SJ/T 10805-2000
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>