共发射极正向电流传输比的最大静态值检测实验

羟值

简介

羟值(Hydroxylvalue) 1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。羟值测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式查看详情>>

羟值

简介

羟值(Hydroxylvalue)

1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。

羟值测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式

检测项目

羟值

收起百科↑ 最近更新：2017年03月21日

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广东省电子电器产品监督检验所

检测项：共发射极正向电流传输比静态值检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：正向电压检测样品：发光二极管标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995

检测项：正向峰值电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》

检测项：发射极-基极截止电流检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：电流传输比检测样品：双极型晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：正向传输比检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比h21E 检测样品：三极管标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：电流传输比CTR 检测样品：光电耦合器标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件分立器件第5部分：光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：正向阈值电压下的输入电流IT+ 检测样品：半导体集成电路CMOS电路标准：SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》

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中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：固定电感器标准：电子设备用固定电感器_第2部分_分规范表面安装电感器 SJ/T 11287-2003

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：半导体三极管标准：半导体分立器件和集成电路第七部分：双极型晶体管GB/T 4587-1994

检测项：电流传输比检测样品：半导体集成电路电压调整器标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T 4377-1996

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：电流传输比检测样品：晶体三极管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

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中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

检测项：发射极--基极截止电流IEBO 检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

检测项：集电极--发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

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中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分光电子器件测试方法第5.1条第5.6.2条

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：双极型晶体管标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管第Ⅳ章2.1条第Ⅳ章2.2条第Ⅳ章3条第Ⅳ章4.2条第Ⅳ

检测项：电流传输比检测样品：光电标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分光电子器件测试方法第5.1条第5.6.2条

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国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：共发射正向电流传输比检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极电流检测样品：整流二极管标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：共模抑制比检测样品：数字集成电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

机构所在地：甘肃省兰州市更多相关信息>>

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中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

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中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

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