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温度冲击试验简介 热冲击试验(Thermal Shock Testing)常被称作温度冲击试验(Temperature Shock Testing)或者温度循环(Temperature Cycling)、高低温冷热冲击试验。温度冲击按照GJB 150.5A-2009 3.1的说法,是装备周围大气温度的急剧变化,温度变化率大于10度/min,即为温度冲击。 温度冲击...查看详情>>
上面3种试验,1、2以空气作为介质,第3种以液体(水或其它液体)作为介质。1、2的转换时间较长,3的转换时间较短。
收起百科↑ 最近更新:2017年07月05日
检测项:电压偏差 检测样品:电能质量 标准:电能质量 供电电压偏差 GBl2325-2008
检测项:三相电压、电流不平衡度 检测样品:继电保护 标准:电能质量 三相电压不平衡 GB/T 15543-2008
机构所在地:河北省石家庄市
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:发射极—基极击穿电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
机构所在地:江苏省连云港市
检测项:击穿电压 V(BR) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市