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免疫层析分析仪产品描述:通常由光电检测模块、机械扫描控制模块、控制主板模块、信息采集模块等组成。原理一般为通过传感器将检测试剂卡的反射率信号转为光电信号,通过校准信息将光电信号转为相应的浓度值或阈值,对待测物进行分析。 免疫层析分析仪预期用途:与适配试剂配合使用,用于人体样本中待测物的定性和/或定量分析。 免疫层析分析仪品名举例:免疫层析分析仪、金标免疫层析分析仪、胶...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年08月21日
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:发射极—基极击穿电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
机构所在地:江苏省连云港市
检测项:击穿电压V(BR) 检测样品:光电耦合器 标准:《半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
机构所在地:上海市
检测项:击穿电压 V(BR) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:发射极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:四川省成都市
检测项:发射极-基极 击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-基极 击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地:湖北省宜昌市