您当前的位置:首页 > 反向栅源漏电流
防散射滤线栅产品描述:通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前,以减少辐射到影像接收面上的散射辐射,从而改善X射线影像对比度的一种装置。 防散射滤线栅预期用途:配合X射线机使用,用于增加X射线影像的对比度。 防散射滤线栅品名举例:防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅 防散射滤线栅管理类别:Ⅱ 防散射滤线栅相关指导原则: 1、含儿科应用...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月14日
检测项:反向漏电流 检测样品:二极管 标准:GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项:反向漏电流 检测样品:二极管 标准:GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项:零栅压漏极电流 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
机构所在地:湖北省宜昌市
检测项:栅-源短路时的漏极电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:栅-源短路时的漏极电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 》
检测项:栅-源阈值电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:江苏省连云港市
检测项:栅源极截止(漏泄)电流IGSS 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:栅-源截止电压VGSoff 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:湖北省孝感市