信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

常州电子产品质量监测所有限公司

检测项：反向电压(如需要) 检测样品：固体和非固体电解质铝电容器 标准：电子设备用固定电容器第四部分：分规范：固体和非固体电解质铝电容器 GB/T 5993-2003 IEC 60384-4（1985） QC 300300

检测项：反向电压(如需要) 检测样品：固体和非固体电解质铝电容器 标准：电子设备用固定电容器第四部分：分规范：固体和非固体电解质铝电容器 GB/T 5993-2003 IEC 60384-4（1985） QC 300300

检测项：压力释放(如需要) 检测样品：固体和非固体电解质铝电容器 标准：电子设备用固定电容器第四部分：分规范：固体和非固体电解质铝电容器 GB/T 5993-2003 IEC 60384-4（1985） QC 300300

机构所在地：江苏省常州市 更多相关信息>>

机械工业仪器仪表元器件质量检验所

检测项：反向击穿电压 检测样品：光学零件镀膜 减反射膜 标准：JB/T 9478.12-1999光电池测量方法 反向击穿电压

检测项：最大工作电压 检测样品：光电池 标准：JB/T 9478.2-1999光电池测量方法 伏安特性

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：B、E饱和电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

上海市计量测试技术研究院（华东国家计量测试中心/中国上海测试中心）

检测项：部分项目 检测样品：LED 标准：LED测量 CIE 127：2007

检测项：部分项目 检测样品：LED 标准：LED测量 CIE 127：2007

检测项：*全部项目 检测样品：电压互感器 标准：电压互感器 GB 1207-2006

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：反向重复/不重复峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极反向峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极触发电流/电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：放大倍数hFE 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

阿尔派电子（中国）有限公司大连研发中心检测所

检测项：反向电压 检测样品：汽车电气产品 标准：道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分：电气负荷 4.7反向电压 ISO 16750-2:2010

检测项：反向电压 检测样品：汽车电气产品 标准：道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分：电气负荷 GB/T 28046.2-2011

检测项：反向电压 检测样品：汽车电气产品 标准：道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分：电气负荷 ISO 16750-2:2010

机构所在地：辽宁省大连市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：反向电流 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：反向电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>