北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR )EBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：发射极-基极 截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

检测项：发射极-基极 截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法

检测项：基极-发射极 饱和电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分： 双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章1.2、 4.1、 5.1、 1.9.6、 1.10.2条

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分： 双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章1.2、 4.1、 5.1、 1.9.6、 1.10.2条

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：发射极 –基极截止电流Iebo 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极-基极击穿电压VCBO，发射极-基极击穿电压VEBO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：发射极-基极截止电流（IEBO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：基极-发射极 饱和电压(VBEsat） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-基极电流 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

山东省电子信息产品检验院（中国赛宝（山东）实验室、山东省网络与信息安全测评中心）

检测项：基极-发射极电压 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

检测项：基极-发射极电压 检测样品：低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准：低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996

机构所在地：山东省济南市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICBO:集电极与基极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

上海仪器仪表自控系统检验测试所

检测项：谐波电流发射试验 检测样品：信息技术设备；家用电器；电信设备；声音和电视广播设备；工科医设备；照明灯具和其它电子设备 标准：电磁兼容 限值 低压电气及电子设备发出的谐波电流限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2003 电磁兼容 第3-2部分:限值 谐波电流发射极限值

检测项：电压变化、电压波动和闪烁试验 检测样品：信息技术设备；家用电器；电信设备；声音和电视广播设备；工科医设备；照明灯具和其它电子设备 标准：电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制GB 17625.2-2007 电磁兼容 第3部分:限值 第3节:

检测项：射频场骚扰感应的传导抗扰度试验 检测样品：机动车电子零部件产品(电磁兼容) 标准：通用标准 电气/电子零部件和子系统电磁兼容验证部分GMW3100:2001 机动车 零部件由窄带辐射电磁能引起的骚扰的试验方法 第四部分： 大电流注入（BCI） ISO 11452-4:2005

机构所在地：上海市 更多相关信息>>