中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：基极-发射极饱和电压VBesat 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：双极型晶体管 标准：1、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管 2、GJB 2650-1996 微波元器件性能测试方法

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：发射极—基极截止电流 检测样品：半导体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管GB/T 4587-1994

检测项：发射极—基极截止电流 检测样品：固定电感器 标准：电子设备用固定电感器_第2部分_分规范表面安装电感器 SJ/T 11287-2003

检测项：集电极—基极截止电流 检测样品：半导体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管GB/T 4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：发射极-基极电流 检测样品：整流二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

检测项：发射极-基极电流 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管

检测项：集电极-基极击穿电压，发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：发射极—基极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：发射极—基极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：发射极—基极截止电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>