您当前的位置:首页 > 基极电压偏转系数
传热系数 以往称总传热系数。国家现行标准规范统一定名为传热系数。传热系数K值,是指在稳定传热条件下,围护结构两侧空气温差为1度(K或℃),单位时间通过单位面积传递的热量,单位是瓦/(平方米·度)(W/㎡·K,此处K可用℃代替),反映了传热过程的强弱。 墙体的传热系数K是表征墙体(含所有构造层次)在稳定传热条件下,当其两侧空气温差为1K(1℃)时,单位时间内通过单位平方米墙体面...查看详情>>
传热系数以往称总传热系数。国家现行标准规范统一定名为传热系数。传热系数K值,是指在稳定传热条件下,围护结构两侧空气温差为1度(K或℃),单位时间通过单位面积传递的热量,单位是瓦/(平方米·度)(W/㎡·K,此处K可用℃代替),反映了传热过程的强弱。墙体的传热系数K是表征墙体(含所有构造层次)在稳定传热条件下,当其两侧空气温差为1K(1℃)时,单位时间内通过单位平方米墙体面积传递的热量,单位为W/(M2.K)。即传热系数K是包含了墙体的所有构造层次和两侧空气边界层在内的。它表征了墙体保温系统的热工性能,有研究表明外墙传热系数的减少将明显的降低建筑能耗。
总传热系数表示单位传热面积、单位传热温度差下的传热速率,反映了传热过程的强度.应予指出,总传热系数必须和所选择的传热面积相对应,是表示换热器性能的重要参数.影响总传热系数的因数主要包括流体物性、操作条件和换热器类型.
收起百科↑ 最近更新:2018年08月16日
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:河北省石家庄市
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:发射极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:四川省成都市
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极—基极击穿电压 检测样品:场效应管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:发射极—基极击穿电压 检测样品:场效应管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:上海市
检测项:基极-发射极 饱和电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:发射极-基极 击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-基极 击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地:湖北省宜昌市