射基极反向击穿电压检测实验

电子射野成像系统

简介

电子射野成像系统

简介

电子射野成像系统产品描述：通常由正对于治疗射线束的射线探测单元、相关软件等组成。

电子射野成像系统预期用途：配合外照射设备，通过采集射野图像，主要用于患者在放射治疗中的引导和位置验证。

电子射野成像系统品名举例：电子射野成像装置、实时影像动态验证系统

电子射野成像系统管理类别：Ⅲ

电子射野成像系统相关指导原则：
1、用于放射治疗的X射线图像引导系统注册技术审查指导原则

电子射野成像系统相关标准：
1、YY/T 1676-2020 超声内窥镜
2、YY/T 1480-2016 基于声辐射力的超声弹性成像设备性能试验方法
3、YY/T 1521-2017 超声弹性仿组织体模的技术要求下载

电子射野成像系统相关检测项目：
1 . 通用要求《放射治疗中电子射野成像装置性能和试验方法： YY/T 0890-2013》
2 . 机械支撑结构《放射治疗中电子射野成像装置性能和试验方法： YY/T 0890-2013》
3 . 成像性能要求《放射治疗中电子射野成像装置性能和试验方法： YY/T 0890-2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月02日

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北京振兴计量测试研究所

检测项：反向击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：集电极-基极击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

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西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：反向击穿电压检测样品：光电耦合器标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：反向击穿电压检测样品：光电耦合器标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：集电极-发射极反向击穿电压检测样品：光电耦合器标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

机构所在地：四川省成都市更多相关信息>>

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中兴通讯股份有限公司材料实验室

检测项：PD反向击穿电压检测样品：光纤连接器标准：PIN-FET光接收组件测试方法 YD/T 702-1993

检测项：PD反向击穿电压检测样品：光纤连接器标准：PIN-FET光接收组件测试方法 YD/T 702-1993

机构所在地：广东省深圳市更多相关信息>>

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：反向击穿电压检测样品：继电器标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.5-1982

检测项：反向击穿电压检测样品：二极管标准：半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇测试方法 1.3

检测项：基极-发射极饱和电压Vbes 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

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北京市医疗器械检验所

检测项：全部项目检测样品：头部多源γ射束立体定向放射治疗系统标准：γ射束立体定向放射治疗系统第1部分：头部多源γ射束立体定向放射治疗系统 YY 0831.1-2011

检测项：全部项目检测样品：立体定位射波手术平台标准：立体定位射波手术平台 YZB/USA 1671-2005

检测项：全部项目检测样品：放射治疗中电子射野成像装置标准：放射治疗中电子射野成像装置性能和试验方法YY/T0890-2013

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：反向击穿电压检测样品：电阻器标准：《电子设备用固定电阻器第一部分:总规范》GB/T5729-2003

检测项：集电极-发射极反向击穿电压检测样品：光电器件标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

检测项：集电极-基极截止电流检测样品：双极型晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3

检测项：反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3

检测项：反向击穿电压检测样品：电容器标准：电子设备用固定电容器第1部分总规范 GB/T2693－2001 第4.5、4.6、4.7、4.8、4.9条

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：反向击穿电压检测样品：电容标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T2693-2001

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：反向击穿电压（V(BR)CEO）检测样品：电容器标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：反向击穿电压（V(BR)）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-基极截止电流（ICBO）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

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北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向击穿电压V(BR) 检测样品：双极型晶体管标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第七部分：双极型晶体管

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：双极型晶体管标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：双极型晶体管标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第七部分：双极型晶体管

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