北京雷电防护装置测试中心

检测项：二端口和输入/输出端子分开的一端口的SPD试验 检测样品：低压电涌保护器（SPD） 标准：低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法 EN 61643-11:2002+A11:2007低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法IEC 61643-11：2011

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所电磁兼容技术实验室

检测项：10kHz～40GHz天线谐波和乱真输出辐射发射（RE03/RE103） 检测样品：军用设备和分系统 标准：(1) GJB151-1986《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 (2) GJB152-1986《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 (3) GJB151A-1997《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 (4) GJB152A-1997《军用

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

惠州出入境检验检疫局检验检疫综合技术中心

检测项：部分项目 检测样品：电力变压器、电源、电抗器和类似产品 标准：电力变压器、电源、电抗器和类似产品的安全 第一部分：通用要求和试验 GB 19212.1-2008 IEC 61558-1:2005

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

宁波市计量测试研究院（宁波市衡器管理所）

检测项：输出特性 检测样品：1.0级以下交直流电流表、电压表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》GB/T7676.1-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第2部分：电流表和电压表的特殊要求》 GB/T7676.2-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件

机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>

国网青海省电力公司电力科学研究院

检测项：功能 检测样品：智能电能表 标准：多费率电能表 特殊要求 GB/T 15284-2002 多功能电能表通信协议DL/T 645-2007 0.2S级智能电能表技术规范 Q/GDW 357-2009 0.5S级智能电能表技术规范 Q/GD

机构所在地：青海省西宁市 更多相关信息>>

厦门通士达照明有限公司检测实验室

检测项：部分项目 检测样品：管形荧光灯用交流电子镇流器 标准：灯的控制装置 第1部分 一般要求和安全要求 GB 19510.1-2009/IEC 61347-1:2007 灯的控制装置 第4部分 管形荧光灯用交流电子镇流器的特殊要求

机构所在地：福建省厦门市 更多相关信息>>

天祥公证行有限公司-消费及商用电子电气

检测项：部分项目 检测样品：声音和电视广播接收机及有关设备 标准：声音和电视广播接收机及有关设备无线电干扰特性限值和测量方法 EN 55013: 2001+A1+A2

检测项：部分项目 检测样品：影音产品 标准：声音和电视广播接收机及有关设备无线电骚扰特性限值和测量方法 CISPR13：2001+A1 CISPR13：2006（EN 55013：2001+A1）

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中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：输出低电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：输出高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：输出低电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>