您当前的位置:首页 > 栅--源击穿电压BVGS
防散射滤线栅产品描述:通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前,以减少辐射到影像接收面上的散射辐射,从而改善X射线影像对比度的一种装置。 防散射滤线栅预期用途:配合X射线机使用,用于增加X射线影像的对比度。 防散射滤线栅品名举例:防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅 防散射滤线栅管理类别:Ⅱ 防散射滤线栅相关指导原则: 1、含儿科应用...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月14日
检测项:栅源击穿电压 V(BR)GSS 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:栅-源截止电压VGSoff 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:栅-源击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:栅-源击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:栅源阈值电压 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
机构所在地:湖北省宜昌市
检测项:正向栅源漏电流 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:反向栅源漏电流 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:四川省成都市
检测项:栅源阈值电压 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管》GB/T4586-1994
检测项:正向栅源漏电流 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管》GB/T4586-1994
检测项:漏源击穿电压 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管》GB/T4586-1994
机构所在地:江苏省扬州市
检测项:栅-源阈值电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:江苏省连云港市