栅-源阈值电压VGS(th) 检测实验

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅产品描述：通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前，以减少辐射到影像接收面上的散射辐射，从而改善X射线影像对比度的一种装置。

防散射滤线栅预期用途：配合X射线机使用，用于增加X射线影像的对比度。

防散射滤线栅品名举例：防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅

防散射滤线栅管理类别：Ⅱ

防散射滤线栅相关指导原则：
1、含儿科应用的医用诊断X射线设备注册审查指导原则
2、医用诊断X射线管组件注册技术审查指导原则

防散射滤线栅相关标准：
1 . GB 9706.1-2007 医用电气设备第1部分：安全通用要求
2 . GB 9706.11-1997 医用电气设备第2部分：医用诊断X射线源组件和X射线管组件安全专用要求
3 . GB 9706.12-1997 医用电气设备第1部分：安全通用要求并列标准：诊断X射线设备辐射防护通用要求
4 . GB/T 10151—2008 医用X射线设备高压电缆插头、插座技术条件
5 . YY/T 0291-2016 医用X射线设备环境要求及试验方法
6 . YY/T 0609-2018 医用诊断X射线管组件通用技术条件

防散射滤线栅相关检测项目：
1 . 物理特性的测量与确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
2 . 测量方法和布置《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
3 . 物理特性《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
4 . 对防散射滤线栅的要求《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
5 . 制造误差《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
6 . 应用极限的确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
7 . 特性的准确度《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
8 . 标记与随附文件《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
9 . 符合性声明《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月14日

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核工业北京地质研究院分析测试研究中心

检测项：钍检测样品：铀矿石标准：GB/T17863-2007《钍矿石中钍的测定N263分离EDTA滴定法》

检测项：234U/238U 检测样品：地下水标准：GB/T13071-2010《地质水样 234U/238U、230Th/232Th放射性比值的测定萃淋树脂萃取色层分离α能谱方法》

检测项：230Th/232Th 检测样品：饮用水标准：DZ/T0064.65-1993《地下水质检验方法甘露醇-碱滴定法测定硼》

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四川省核工业辐射测试防护院

检测项：钍检测样品：水和废水标准：《水中钍的分析方法》树脂离子交换分光光度法测钍 GB11224-1989

检测项：钍检测样品：铀矿石标准：《岩石中微量钍的分析方法 743大孔阳离子交换树脂分离偶氮胂Ⅲ分光光度法》 EJ349.3-1997

检测项：钍检测样品：硅酸盐标准：《岩石中微量钍的分析方法》743大孔阳离子树脂分离偶氮胂Ⅲ分光光度法 EJ349.3-1997

机构所在地：四川省成都市更多相关信息>>

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压检测样品：二极管标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：栅-源短路时的漏极电流检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市更多相关信息>>

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅源阈值电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：正向栅源漏电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：反向栅源漏电流检测样品：二极管标准：《半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管》GB/T4023-1997 《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》GB/T6571-1995

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅源阈值电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅源阈值电压检测样品：二极管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：输入阈值电压和滞后电压检测样品：模拟集成电路标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源截止电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：输出高电平阈值电压检测样品：TTL电路标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：正向栅源漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：反向栅源漏电流检测样品：晶闸管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅源阈值电压检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源击穿电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源击穿电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

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核工业航测遥感中心放射性勘查计量站

检测项：核素活度检测样品：水标准：①GB/T16140—1995水中放射性核素的γ能谱分析方法 ②EJ/T1075－1998水中总α放射性浓度的测定厚源法 ③EJ/T900－1994水中总β放射性测定蒸发法

检测项：核素活度检测样品：化肥标准：①GB/T16145—1995生物样品中放射性核素的γ能谱分析方法

检测项：核素活度检测样品：食品标准：①GB/T16145—1995生物样品中放射性核素的γ能谱分析方法 ②GB14882—1994 食品中放射性物质限制浓度标准

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

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