上海精密计量测试研究所

检测项：栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅-源截止电压VGSoff 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：静态漏—源通态电阻 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：栅-源截止电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分： 场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：漏-源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：漏源通态电阻RDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：漏源通态电压VDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅-源击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

北京东方计量测试研究所

检测项：源效应 检测样品：多功能校准源 标准：GB/T 15637-1995 数字多用表校准仪通用技术条件

检测项：源效应 检测样品：多功能校准源 标准：GB/T 15637-1995 数字多用表校准仪通用技术条件

检测项：源效应 检测样品：多功能校准源 标准：GB/T 15637-1995 数字多用表校准仪通用技术条件

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：源电压效应 检测样品：车载稳压电源 标准：GJB3836—99车载稳压电源通用规范

检测项：源效应 检测样品：电器安全 标准：工业自动化仪表绝缘电阻、绝缘强度技术要求和实验方法GB/T15479-1995

检测项：负载效应 检测样品：车载稳压电源 标准：GJB3836—99车载稳压电源通用规范

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：栅-源截止电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：反向电流 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>