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检测项:结栅型的栅极截止电流 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管
检测项:漏极截止电流 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管
检测项:绝缘栅型的栅极漏泄电流 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:截止态漏极漏电流 检测样品:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项:截止态源极漏电流 检测样品:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项:截止电流 检测样品:场效应管IGBT 标准:半导体分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:漏极截止电流 检测样品:场效应管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:漏极截止电流 检测样品:二极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
检测项:截止态漏极漏电流 检测样品:模拟集成电路 标准:GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:截止态漏极漏电流 检测样品:集成电路A/D和D/A转换器 标准:集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
检测项:截止态源极漏电流 检测样品:集成电路A/D和D/A转换器 标准:集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
检测项:截止态和导通态电流(对模拟信号开关电路) 检测样品:CMOS集成电路 标准:集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
检测项:漏-源通态电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:正向栅源漏 电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:反向栅源漏 电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:部分项目 检测样品:剩余电流动作断路器 标准:家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO) 第1部分:一般规则 GB 16917.1-2003
检测项:部分项目 检测样品:用于交流和直流的断路器 标准:用于交流和直流的断路器GB 10963.2-2008
检测项:部分项目 检测样品:带电作业用便携式接地和接地短路装置 标准:带电作业用便携式接地和接地短路装置 DL/T 879-2004
机构所在地:河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项:浪涌电流时的性能 检测样品:家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO) 标准:GB16917.1-2003 IEC61009-1:1996,MOD 家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO) 第1部分:一般规则 GB16917.21-2008 IEC61009-2-1:1991,IDT 家用和类似用途的带过电流保护
检测项:三极或四极RCBO通以单相负载时过电流的极限值 检测样品:家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO) 标准:GB16917.1-2003 IEC61009-1:1996,MOD 家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO) 第1部分:一般规则 GB16917.21-2008 IEC61009-2-1:1991,IDT 家用和类似用途的带过电流保护
检测项:在40℃时的可靠性 检测样品:家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO) 标准:GB16917.1-2003 IEC61009-1:1996,MOD 家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO) 第1部分:一般规则 GB16917.21-2008 IEC61009-2-1:1991,IDT 家用和类似用途的带过电流保护
机构所在地:浙江省杭州市 更多相关信息>>
检测项:部分 项目 检测样品:家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCCB) 标准:家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCCB)第1部分:一般规则 GB16916.1-2003 IEC61008-1:1996
检测项:部分 项目 检测样品:家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCCB) 标准:家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCCB)第2.1部分:一般规则对动作功能与线路电压无关的RCCB的适用性 GB16916.21-2008 IEC1008-2-1:1990
检测项:部分 项目 检测样品:家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO) 标准:家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器(RCBO)第1部分:一般规则 GB16917.1-2003 IEC61009-1:1996
机构所在地:浙江省乐清市 更多相关信息>>
检测项:栅极漏泄电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:栅极漏电流 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:漏-源击穿电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:反向截止电流 检测样品:电容器 标准:半导体光耦合器(三极管)反向截止电流的测试方法SJ2215.9-1982
检测项:C、B截止电流 检测样品:光耦合器 标准:半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982
检测项:E、B截止电流 检测样品:光耦合器 标准:半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982