金属底材上绝缘涂层中不连续性（漏涂）的检测

检测项：不连续性（漏涂） 检测样品：金属底材上绝缘涂层 标准：《金属底材上绝缘涂层不连续性（漏涂）检验的标准测试方法》ASTM D 5162-08

检测机构：国家石油石化产品检测中心 更多相关信息>>

通用锂基润滑脂中部分参数的检测

检测项：部分参数 检测样品：通用锂基润滑脂 标准：GB 7324-2010通用锂基润滑脂

检测机构：北京优测科技发展有限公司 更多相关信息>>

饮料、饮品中氨基酸态氮（氨基态氮）的检测

检测项：氨基酸态氮（氨基态氮） 检测样品：饮料、饮品 标准：饮料通用分析方法,GB/T 12143-2008/5(甲醛值法）

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

聚氯乙烯绝缘电线和电缆中导体导通试验的检测

检测项：导体导通试验 检测样品：聚氯乙烯绝缘电线和电缆 标准：JB 8734.1-2012《额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆电线和软线 第1部分：一般规定》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

复合材料中干固体绝缘材料耐电弧的检测

检测项：干固体绝缘材料耐电弧 检测样品：复合材料 标准：GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

信息技术设备中谐波电流的检测

检测项：谐波电流 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.1-2012 电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：漏源通态电阻 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：漏-源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：静态漏-源通态电阻rDS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>