南京市建筑安装工程质量检测中心

检测项：泄漏电流 检测样品： 标准：

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

潍坊半导体照明产品检测中心

检测项：泄漏电流 检测样品： 标准：

检测项：基本电性能和电流谐波测量 检测样品：LED模块 标准：普通照明用LED模块测试方法 GB/T 24824-2009

检测项：反向电流 检测样品：灯和灯系统 标准：灯和灯系统的光生物安全性 GB/T 20145-2006

机构所在地：山东省潍坊市 更多相关信息>>

国家激光器件质量监督检验中心

检测项：连续漏电流和患者辅助电流 检测样品： 标准：

检测项：正常工作温度下的连续漏电流 检测样品：二氧化碳激光治疗机 标准：GB 11748-2005 二氧化碳 激光治疗机

检测项：正向电流 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

东莞辰达电器有限公司测试中心

检测项：泄漏电流试验 检测样品：器具漏电断路器 标准：器具漏电断路器 UL943B:2011

检测项：泄漏电流试验 检测样品：器具漏电断路器 标准：器具漏电断路器 UL943B:2014 （年代号变更）

检测项：触发电流试验 检测样品：器具漏电断路器 标准：器具漏电断路器 UL943B:2011

机构所在地：广东省东莞市 更多相关信息>>

广东产品质量监督检验研究院认证与测量工程部

检测项：漏电流 检测样品：漏电保护器测试仪 标准：漏电保护器测试仪检测规范

检测项：电流 检测样品：漏电保护器测试仪 标准：电压降测试仪检测规范

检测项：压力 检测样品：漏电起痕试验装置 标准：CEST/CAL/GF011-2003 漏电起痕试验装置检测规范

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：漏极电流IDSS 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：场效应管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：漏电流 检测样品：固定电感器 标准：电子和通信设备用表变压器和电感器测量方法及试验程序 GB/T 8554-1998

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：导通态漏电流IDS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>