中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：漏电流 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：截止电流 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：漏电流 检测样品：汽车电气设备 标准：汽车电气设备基本技术条件 QC/T 413-2002

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅极泄漏电流 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅极泄漏电流 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：正向栅源漏电流 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：反向栅源漏电流 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅极漏电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏极电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：零栅压漏极电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京市计量检测科学研究院

检测项：漏电流效应 检测样品：医用加速器 标准：《医用电子加速器性能和试验方法》 GB15213-1994； 《医用电子加速器验收试验和周期检验规程 》 GB/T19046-2003

检测项：漏电流效应 检测样品：医用加速器 标准：医用电子加速器性能和试验方法 GB15213-1994； 医用电子加速器验收试验和周期检验规程 GB/T19046-2003

检测项：漏电电流 检测样品：漏电保护器测试仪 标准：漏电保护器安装和运行GB13955-2005

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：栅极漏电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3411.1

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：截止态漏级漏电流 ID（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

检测项：截止态源级漏电流 IS（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：发射极--基极截止电流IEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极--发射极截止电流ICEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：漏电流 检测样品：固定电感器 标准：GB/T8554-1998 电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：漏-源短路时， 栅极截止电流 栅极漏泄电流 IGSS 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值（h21E） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：栅－源电压为零时的漏极电流（IDSS） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>