官方微信
您当前的位置:首页 > 灌电流
检测项:高度模拟 检测样品:锂电池 标准:联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
检测项:热测试 检测样品:锂电池 标准:联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
检测项:振动 检测样品:锂电池 标准:联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
机构所在地:江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项:输入功率和电流 检测样品:电子坐便器安全 标准:家用和类似用途的电器安全-坐便器的特殊要求》 GB4706.53-2008 家用和类似用途电器的安全通用要求 GB4706.1-2005
检测项:泄漏电流和电气强度 检测样品:电子坐便器安全 标准:家用和类似用途的电器安全-坐便器的特殊要求》 GB4706.53-2008 家用和类似用途电器的安全通用要求 GB4706.1-2005
检测项:工作温度下的泄漏电流和电气强度 检测样品:电子坐便器安全 标准:家用和类似用途的电器安全-坐便器的特殊要求》 GB4706.53-2008 家用和类似用途电器的安全通用要求 GB4706.1-2005
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:漏极反向电流 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1
检测项:栅极漏电流 检测样品:小型开关电源 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3411.1
检测项:漏极反向电流 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:恒定湿热试验 检测样品:太阳电池组件用绝缘背板 标准:《地面用晶体硅光伏组件——设计鉴定和定型》 IEC 61215-2005
机构所在地:江苏省常熟市 更多相关信息>>
检测项:输出电流限制 检测样品:移动电话用可充电电池 标准:IEEE关于移动电话用可充电电池标准 IEEE Std 1725-2011
检测项:电池过电流保护要求 检测样品:移动电话用可充电电池 标准:IEEE关于移动电话用可充电电池标准 IEEE Std 1725-2011
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:电源电流 检测样品:普通照明自镇流LED灯 标准:普通照明用50V以上自镇流LED灯 安全要求 GB 24906-2010 IEC 62560:2011 EN 62560:2012
检测项:输出电压和电流 检测样品:普通照明自镇流LED灯 标准:普通照明用50V以上自镇流LED灯 安全要求 GB 24906-2010 IEC 62560:2011 EN 62560:2012
检测项:基本电性能和电流谐波 检测样品:灯具光度 标准:普通照明用LED模块测试方法 GB/T 24824-2009 普通照明用LED模块性能要求 GB/T 24823-2009 IEC/PAS 62717-2011
检测项:电流影响 检测样品:0.2级和0.5级静止式电能表 标准:ANSI C12.1-2008 电能表的电计量规范
检测项:电流回路的等效性 检测样品:0.2级和0.5级静止式电能表 标准:ANSI C12.1-2008 电能表的电计量规范
检测项:短时过电流影响试验 检测样品:1级和2级静止式交流有功电能表 标准:GB/T17215.321-2008 交流电测量设备 特殊要求 第21部分:静止式有功电能表(1级和2级)IEC62053-21:2003 交流电测量设备 特殊要求 第21部分:静止式有功电能表(1级和2级)
检测项:部分项目 检测样品:通信用室外光缆 标准:GB/T 7424.1-2003 光缆总规范 第1部分:总则
检测项:部分项目 检测样品:通信用室外光缆 标准:GB/T 7424.2-2008 光缆总规范 第2部分:光缆基本试验方法
检测项:部分项目 检测样品:沿电力线路敷设的光缆 标准:DL/T 832-2003 光纤复合架空地线
机构所在地:江苏省南通市 更多相关信息>>
检测项:输出低电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出高电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:低三态输出电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:充电器要求 检测样品:移动通信手持机充电器 标准:移动通信手持机充电器及接口技术要求和试验方法 YD/T1591-2009
机构所在地:福建省厦门市 更多相关信息>>