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骨填充及修复材料相关指导原则： 1、增材制造聚醚醚酮植入物注册技术审查指导原则 骨填充及修复材料相关标准： 1、YY/T 1794-2021 口腔胶原膜通用技术要求 2、YY/T 0524-2009 牙科学 牙种植体系统技术文件内容 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新：2023年06月05日
检测项：信号噪声比 检测样品：数字电影放映系统 标准：《数字电影中档放映系统技术要求和测量方法》GY/T 256-2012
检测项：宽带信号噪声比 检测样品：音频工作站、音频均衡器、音频矩阵、音频分配放大器、音频制作切换器 标准：《广播声频通路运行技术指标等级》GY 75-1989
检测项：计权信号噪声比 检测样品：音频工作站、音频均衡器、音频矩阵、音频分配放大器、音频制作切换器 标准：《广播声频通路运行技术指标等级》GY 75-1989
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：导频信号频率偏差 检测样品： 标准：《无线电发射设备参数通用要求和测量方法》 GB/T 12572-2008
检测项：输出互调 检测样品：微功率（短距离）无线电发射设备 标准：《电磁兼容性及无线频谱事务（ERM）；频段处于25MHz至1GHz范围内的发射功率小于500 mW短距离微功率设备;第一部分：技术特点和测试方法》 ETSI EN 300 220-1 V2.2.1 (2008-04) 《电磁兼容性及无线频谱事务（ERM）
检测项：阻塞 检测样品：微功率（短距离）无线电发射设备 标准：《电磁兼容性及无线频谱事务（ERM）；频段处于25MHz至1GHz范围内的发射功率小于500 mW短距离微功率设备;第一部分：技术特点和测试方法》 ETSI EN 300 220-1 V2.2.1 (2008-04) 《电磁兼容性及无线频谱事务（ERM）
机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>
检测项：信号增益、噪声系数 检测样品：RF器件 标准：微电路测试方法 MIL-STD-883H:2010 方法4006.1
检测项：信号增益、噪声系数 检测样品：FPGA现场可编程器件 标准：微电路测试方法 MIL-STD-883H:2010 方法4006.1
检测项：截止态和导通态电流（对模拟信号开关电路） 检测样品：CMOS集成电路 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：拨号信号 检测样品： 标准：私有语音网络与PSTN/ISDN网络连接的技术要求 PTC 220-2008
检测项：轴向场强度 检测样品：数字电话 标准：手持式电话助听器耦合和接收音量控制磁输出的要求及测试方法 CS-03 Part V：2009
检测项：轴向场频率响应 检测样品：数字电话 标准：手持式电话助听器耦合和接收音量控制磁输出的要求及测试方法 CS-03 Part V：2009
检测项：电源线尖峰信号(时域)传导发射 CE107 检测样品：军用设备、分系统和系统 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB 152A-1997
检测项：电源线尖峰信号传导敏感度 CS06 检测样品：军用设备、分系统和系统 标准：舰船电磁兼容性要求 HJB 34A-2007
检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 Ⅳ章 测试方法
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：小信号短路正向跨导gfs 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项：初始频率温度精度 检测样品：元器件筛选 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方
检测项：密封性 检测样品：元器件筛选 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方
机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项：校准信号 检测样品：频谱分析仪 标准：频谱分析仪测试方法GB/T 11462-1989
检测项：输出信号的和 检测样品：倍频程和分数倍频程滤波器 标准：电声学 倍频程和分数倍频程滤波器 GB/T 3241-2010
检测项：频率计权（电信号） 检测样品：玻璃容器 标准：玻璃容器 用重量法测定容量的试验方法 GB/T 20858-2007
机构所在地：江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项：反向电流 检测样品：开关二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995
检测项：正向电压 检测样品：开关二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995
检测项：反向电流 检测样品：稳压二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995
机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：频率 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>
骨填充及修复材料相关指导原则：
