特殊光学效应/特殊性质检测实验

光学相干断层扫描仪

简介

光学相干断层扫描仪产品描述：通常由光学相干系统、数据获取处理和/或分析系统组成。利用光学相干成像原理，获取组织断层面的信息。光学相干断层扫描仪预期用途：用于获取组织断层面的信息。光学相干断层扫描仪品名举例：眼科光学相干断层扫描仪光学相干断层扫描仪管理类别：Ⅱ 光学相干断层扫描仪相关指导原则： 1、眼科光学相干断层扫描仪注册...查看详情>>

光学相干断层扫描仪

简介

光学相干断层扫描仪产品描述：通常由光学相干系统、数据获取处理和/或分析系统组成。利用光学相干成像原理，获取组织断层面的信息。

光学相干断层扫描仪预期用途：
用于获取组织断层面的信息。
光学相干断层扫描仪品名举例：眼科光学相干断层扫描仪

光学相干断层扫描仪管理类别：Ⅱ

光学相干断层扫描仪相关指导原则：
1、眼科光学相干断层扫描仪注册技术审查指导原则

光学相干断层扫描仪相关标准：
1、YY/T 0849-2011 眼科高频超声诊断仪
2、YY/T 0107-2015 眼科A型超声测量仪
3、YY/T 1484-2016 眼科仪器眼轴长测量仪

收起百科↑ 最近更新：2023年04月23日

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成都泰瑞通信设备检测有限公司

检测项：光学性能检测样品：纤维光学环形器标准：YD/T 1066-2000 纤维光学环行器技术条件

检测项：环境性能检测样品：纤维光学环形器标准：YD/T 1066-2000 纤维光学环行器技术条件

检测项：机械性能检测样品：纤维光学环形器标准：YD/T 1066-2000 纤维光学环行器技术条件

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北京无线电计量测试研究所

检测项：负载效应检测样品：防静电鞋、导电鞋标准：防静电鞋、导电鞋技术要求 GB4385-1995

检测项：源电压效应检测样品：交流稳压电源标准：抗干扰型交流稳压电源通用技术条件 SJ/T10541-1994 抗干扰型交流稳压电源通用测试方法 SJ/T10542-1994

机构所在地：北京市更多相关信息>>

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海南省药品检验所

检测项：热效应检测样品：药品标准：中国药典2010年版一部

机构所在地：海南省海口市更多相关信息>>

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极-基极截止电流检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市更多相关信息>>

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：集电极—发射极维持电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

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贵州航天计量测试技术研究所

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应晶体管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：老炼和寿命试验（功率场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管检测样品：半导体分立器件标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997

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浙江省检验检疫科学技术研究院（浙江出入境检验检疫局检验检疫技术中心、浙江立德产品技术有限公司）

检测项：毛细效应检测样品：纺织品标准：纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008

检测项：毛细效应检测样品：纺织品标准：纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008

检测项：毛细效应检测样品：纺织品标准：机织物测试方法 - 厚度 JIS L 1096-1999 章节 8.5

机构所在地：浙江省杭州市更多相关信息>>

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中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：S参数检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

检测项：电压驻波比检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

检测项：特征频率fT 检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

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上海精密计量测试研究所

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

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光学相干断层扫描仪

简介

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