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羟值(Hydroxylvalue) 1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。 羟值 测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式 查看详情>>
羟值(Hydroxylvalue)
1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。
羟值测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式
收起百科↑ 最近更新：2017年03月21日
检测项：树脂羟值 检测样品：复合材料 标准：GB/T7193-2009《不饱和聚酯树脂试验方法》
检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>
检测项：pH值 检测样品：消毒产品 标准：卫生部（2002年版） 消毒技术规范
检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>
检测项：电子单元误差 (mV值) 检测样品： 标准：
检测项：电子单元误差(pH值) 检测样品：酸度计 标准：实验室pH计 GB/T 11165-2005
检测项：电子单元温度补偿器误差试验 检测样品： 标准：
机构所在地：江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项：输入失调电压(VOS) 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000
检测项：电压调整率 （SV） 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996
检测项：电流调整率（SI） 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：寿命 检测样品：电磁继电器 标准：ZB T36 005-1987（调整为QC/T419-1999）喇叭继电器 技术条件5.9
检测项：寿命 检测样品：延时继电器 标准：GJB1429-1992热延时继电器总规范4.8.16
检测项：寿命 检测样品：电磁继电器 标准：GJB65B-1999有可靠性指标的电磁继电器总规范4.8.19
机构所在地：安徽省蚌埠市 更多相关信息>>
检测项：反向击穿电压 检测样品：电容 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T2693-2001
检测项：击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项：饱和压降 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：正向压降 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003半导体器件分立器件第5部分光电子器件
检测项：控制极触发电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法 3404
检测项：体二极管压降 检测样品：小型开关电源 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法 4011.4
检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法 3404
检测项：电子单元输出误差 检测样品：熔点仪 标准：《熔点测定仪》 JB/T 6177-1992
检测项：电子单元基本误差 检测样品：实验室pH计 标准：《实验室pH计》 GB 11165-2005
检测项：电子单元温度补偿器的误差 检测样品：实验室pH计 标准：《实验室pH计》 GB 11165-2005
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：幅值磁导率μa 检测样品：非晶、纳米晶材料及器件 标准：GB/T3658-2008 软磁合金交流磁性能测量方法 GB/T 19346-2003 非晶纳米晶软磁合金交流磁性能测试方法 ASTM A912/A912M–2011 用万用表环形样品法测试非晶材料在电频率条件下交流磁特性的试验方法
检测项：交流磁特性μea, δ,P 检测样品：铁氧体材料、坡莫合金材料及器件 标准：IEC 62044-3-2000 软磁材料制成的磁芯 测量方法第3部分：高冲击水平的磁化特性
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
