锑化铟单晶片中抛光片厚度的检测

检测项：抛光片厚度 检测样品：锑化铟单晶片 标准：SJ20640-1997 红外探测器用锑化铟单晶片规范

检测机构：国家材料分析检测中心 更多相关信息>>

硅晶体中硼、镓、铝、磷、砷、锑的检测

检测项：硼、镓、铝、磷、砷、锑 检测样品：硅晶体 标准：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法 GB/T24581-2022

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

连云港市质量技术综合检验检测中心

检测项：全部参数 检测样品：硅单晶抛光片 标准：《硅单晶抛光片》 GB/T 12964-2003

检测项：参考面位置 检测样品：晶体硅 标准：《硅单晶抛光片》 GB/T 12964-2003

检测项：全部参数 检测样品：硅单晶 标准：《硅单晶》 GB/T 12962-2005

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

陕西天宏硅材料有限责任公司检测中心

检测项：电阻率 检测样品：硅多晶/硅单晶 标准：GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

检测项：导电型号 检测样品：硅多晶/硅单晶 标准：GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法

检测项：少子寿命 检测样品：硅多晶/硅单晶 标准：GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

洛阳中硅高科技有限公司检测中心

检测项：电阻率 检测样品：工业硅 标准：硅单晶电阻率测定方法GB/T 1551-2009

检测项：表金属铝 检测样品：工业硅 标准：硅单晶电阻率测定方法GB/T 1551-2009

检测项：电阻率 检测样品：工业硅 标准：硅单晶电阻率测定方法GB/T 1551-2009

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

万向硅峰电子股份有限公司检测中心

检测项：电阻率 检测样品：硅片 标准：《硅单晶电阻率测定方法》GB/T 1551-2009

机构所在地：浙江省衢州市 更多相关信息>>

青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司质量保证部化验室

检测项：B,P,Al,Sb,Ga,As 检测样品： 标准：GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法

机构所在地：青海省西宁市 更多相关信息>>

内蒙古盾安光伏科技有限公司检测中心

检测项：B,P,Al,Sb,Ga,As 检测样品： 标准：GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法

机构所在地：内蒙古自治区巴彦淖尔市 更多相关信息>>