记忆效应和残留影响检测实验

单/多部件记忆合金骨固定器械

简介

记忆合金聚髌器，记忆合金肋骨板，胸骨固定器，记忆合金环抱器，张力钩，接骨器，聚髌器

单/多部件记忆合金骨固定器械

简介

单/多部件记忆合金骨固定器械产品描述：一般采用镍钛记忆合金材料制成，具有特定的形状。

单/多部件记忆合金骨固定器械预期用途：利用形状记忆功能，用于骨折部位的固定。

单/多部件记忆合金骨固定器械品名举例：记忆合金聚髌器、记忆合金肋骨板、胸骨固定器、记忆合金环抱器、张力钩、接骨器、聚髌器

单/多部件记忆合金骨固定器械管理类别：Ⅲ

单/多部件记忆合金骨固定器械相关指导原则：
1、增材制造金属植入物理化性能均一性研究指导原则

单/多部件记忆合金骨固定器械相关标准：
1、YY/T 0809.13-2020 外科植入物部分和全髋关节假体第13部分：带柄股骨部件头部固定抗扭转力矩的测定
2、YY/T 0809.4-2018 外科植入物部分和全髋关节假体第4部分：带柄股骨部件疲劳性能试验和性能要求
3、YY/T 1615-2018 外科植入物钛及钛合金阳极氧化膜通用要求
4、YY/T 1640-2018 外科植入物磷酸钙颗粒、制品和涂层溶解性的试验方法

收起百科↑ 最近更新：2023年03月30日

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：饱和压降检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：截止电流检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：直流放大倍数检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：密封性检查检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：外部目检检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市更多相关信息>>

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深圳市疾病预防控制中心

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：洁净室标准：农业转基因生物食用安全性检验第5部分非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：转基因生物检测标准：农业转基因生物食用安全性检验第5部分非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：洁净室标准：农业转基因生物食用安全性要求和评价（SZJG 23-2006）

机构所在地：广东省深圳市更多相关信息>>

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中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：hFE:共发射接法时静态电流放大系数检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：V(BR)DS*:崩潰電壓检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—发射极维持电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：放大倍数（hFEL）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：漏极截止电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源截止电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：电磁兼容性试验检测样品：过程测量和控制装置标准：过程测量和控制装置通用性能评定方法和程序第3部分：影响量影响的试验 GB/T 18271.3-2000

检测项：环境试验检测样品：过程测量和控制装置标准：过程测量和控制装置通用性能评定方法和程序第3部分：影响量影响的试验 GB/T 18271.3-2000

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北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体器件第8部分：场效应晶体管

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅-源击穿电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

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