输入高电平电流和输入低电平电流检测实验

生殖和发育毒性

简介

YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验第1部分：筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验第2部分：胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验第3部分：一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验第4部分：两代生殖毒性试验查看详情>>

生殖和发育毒性

简介

YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验第1部分：筛选试验
YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验第2部分：胚胎发育毒性试验
YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验第3部分：一代生殖毒性试验
YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验第4部分：两代生殖毒性试验

检测项目

收起百科↑ 最近更新：2022年04月19日

搜索条件所在地区: 所属类别:

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：输入高电平电流IIH 检测样品：半导体集成电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

检测项：输入高电平电流IIH 检测样品：半导体集成电路 (TTL) 标准：半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996

检测项：输入低电平电流IIL 检测样品：半导体集成电路 (TTL) 标准：半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996

机构所在地：北京市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：输入高电平电流检测样品：数字集成电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

检测项：输入低电平电流检测样品：数字集成电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

检测项：输入失调电流检测样品：数字集成电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

机构所在地：甘肃省兰州市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：输入高电平电流检测样品：模拟集成电路标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996

检测项：输入低电平电流检测样品：TTL电路、COMS电路标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996 《半导体集成电路第2部分:数字集成电路第Ⅳ篇第

检测项：输入失调电流检测样品：模拟集成电路标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996

机构所在地：上海市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：输入高电平电流检测样品：CMOS电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输入高电平电流检测样品：ECL电路标准：半导体集成电路ECL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10737-1996

检测项：输入高电平电流检测样品：TTL电路标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996

机构所在地：湖北省武汉市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：输入高电平电流检测样品：CMOS电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输入高电平电流检测样品：CMOS电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输入低电平电流检测样品：CMOS电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

机构所在地：四川省成都市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

检测项：输入高电平电流检测样品：电子元器件标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3007.1

检测项：输入低电平电流检测样品：电子元器件标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3010.1

检测项：输入高电平电流检测样品：电子元器件标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.9条

机构所在地：江苏省无锡市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：输入高电平电流检测样品：TTL电路标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

检测项：输入高电平电流检测样品：电压调整器标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理

检测项：输入低电平电流检测样品：TTL电路标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省南京市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：输入高电平电流检测样品：CMOS集成电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输入高电平电流检测样品：运算(电压)放大器标准：半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996

检测项：输入低电平电流检测样品：CMOS集成电路标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

机构所在地：重庆市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
深圳市华测检测技术股份有限公司

检测项：谐波电流检测样品：电子电器标准：电磁兼容限值谐波电流发射限值 (设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2003

检测项：电流谐波检测样品：电信网络设备标准：电信网络设备EMC要求 ETSI EN 300386 V1.5.1

检测项：电压波动和闪烁检测样品：电子电器标准：电磁兼容限值谐波电流发射限值 (设备每相输入电流≤16A) IEC 61000-3-2:2005 +A1:2008 +A2:2009

机构所在地：广东省深圳市更多相关信息>>

我要咨询联系我们
湖北省计量测试技术研究院

检测项：注入电流检测样品：电气照明和类似设备（EMC）标准：电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2003 电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) IEC 61000-3-2:2009

检测项：电压波动和闪烁检测样品：电气照明和类似设备（EMC）标准：电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2003 电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) IEC 61000-3-2:2009

检测项：电压暂将和短时中断检测样品：电工电子类产品（EMC）标准：电磁兼容限值谐波电流发射限值 (设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2003 电磁兼容限值谐波电流发射限值 (设备每相输入电流≤16A) IEC 61000-3-2:2009

机构所在地：湖北省武汉市更多相关信息>>

我要咨询联系我们

生殖和发育毒性

简介

生殖和发育毒性

简介

检测项目

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

深圳市华测检测技术股份有限公司

湖北省计量测试技术研究院

热点资讯MORE>

最新资讯MORE>

客户服务