中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输出低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000

检测项：输出低电平电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理》

检测项：输出低电平电流IOL 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理》

检测项：输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：输出低电平电压 检测样品：时基 电路 标准：半导体集成电路 时基电路 测试方法的基本原理GB/T14030-1992 第2.1、2.2、2.3、2.4、2.6、2.7、2.8条

检测项：低电平输出电流 检测样品：时基 电路 标准：半导体集成电路 时基电路 测试方法的基本原理GB/T14030-1992 第2.1、2.2、2.3、2.4、2.6、2.7、2.8条

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：运算 (电压)放大器 标准：半导体集成电路 运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996第2.1、2.3、2.5、2.6、2.7、2.8、2.11条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

检测项：输出低电平电流IOL 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

检测项：输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：输出低电平电压Vol 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范

检测项：输出低电平VOL 检测样品：半导体集成电路（数字集成电路） 标准：1.SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半导体器件 集成电路 第

检测项：栅源阈值电压VGS(th) 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：输出低电平 电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：输出低电平 电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：输出电压 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：输出低电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：高到低电平输出的传输延迟时间 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：三态转低电平输出时间 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅-源阈值电压VGS（th） 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：部分参数 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：部分参数 检测样品：运算（电压）放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅源阈值电压 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：输入阈值电压和滞后电压 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法 3404

检测项：阈值电压 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法 3404

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>