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YY/T 1292.1-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第1部分:筛选试验 YY/T 1292.2-2015医疗器械生殖和发育毒性试验 第2部分:胚胎发育毒性试验 YY/T 1292.3-2016医疗器械生殖和发育毒性试验 第3部分:一代生殖毒性试验 YY/T 1292.4-2017医疗器械生殖和发育毒性试验 第4部分:两代生殖毒性试验 查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2022年04月19日
机构所在地:广东省东莞市
检测项:输出高电平时电源电流 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
检测项:输出高电平电压 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
检测项:输出高电平电压 检测样品:半导体集成接口电路线电路 标准:SJ/T 10803-1996 半导体集成电路线电路测试方法的基本原理
机构所在地:湖北省宜昌市
机构所在地:广东省东莞市
检测项:电压变化、电压波动和闪烁 检测样品:电子和电气设备 标准:电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A 且无条件接入的设备在公用低压供电 系统中产生的电压变化、电压波动 和闪烁的限制
检测项:骚扰电压 检测样品:工业、科学和医疗设备 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值 (设备每相输入电流≤16A)
机构所在地:天津市