中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

检测项：输出高电平阈值电压 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

检测项：输出高电平电压 检测样品：运算放大器 标准：SJ/T10738-1996半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：数字集成 电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

检测项：输出高电平电流 检测样品：数字集成 电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

检测项：输入高电平电压 检测样品：数字集成 电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996

检测项：输出高电平电压 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005

检测项：输出高电平电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：电子元器件 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.7条

检测项：输出高电平电流 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3009.1

检测项：输入高电平电压 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3022

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：数字集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路

检测项：输出高电平电压 检测样品：数字集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路

检测项：输入高电平电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：电子产品、军用装备 标准：GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验 Fc：振动（正弦）

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：电子产品、军用装备 标准：GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验 Fc：振动（正弦）

检测项：输出高电平电源电流 检测样品：电子产品、军用装备 标准：GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验 Fc：振动（正弦）

机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：输出高电平电压 检测样品：TTL电路、COMS电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996 《半导体集成电路第2部分:数字集成电路第Ⅳ篇第

检测项：输出峰峰电压 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996

检测项：输入高电平电流 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：输出高电平电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理

检测项：输出高电平电压 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

检测项：输出高电平电压 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：电压比较器、运算放大器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路》GB/T17940-2000

检测项：输出高电平电压 检测样品：电压比较器、运算放大器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路》GB/T17940-2000

检测项：输出高电平电流 检测样品：电压比较器、运算放大器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路》GB/T17940-2000

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：数字集成电路 标准：GJB597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-96 半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

检测项：输出高电平电源电流 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-96 半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>