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牙挺产品描述:通常由手柄、杆和工作端组成。一般采用不锈钢材料制成。非无菌提供。 牙挺预期用途:用于撬松牙齿,撬除牙根、残根、碎根尖等。 牙挺品名举例:牙挺、丁字形牙挺、牙根尖挺、开冠挺、拔牙挺、微型牙挺、阻生齿牙挺 牙挺管理类别:Ⅰ 牙挺相关标准: 1、YY/T 1696-2020 牙科学 口内塑形刀 2、YY/T 9106...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年05月16日
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:TTL 电路测试 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:微电子器件 标准:微电子器件 试验方法和程序GJB548B-2005
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:TTL 电路测试 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996 (GB 3439-1982)
机构所在地:辽宁省沈阳市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:模拟集成电路 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:模拟集成电路 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》
检测项:输出高电平电流IOH 检测样品:模拟集成电路 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:ECL电路 标准:半导体集成电路ECL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10737-1996
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:TTL电路 标准:半导体集成电路TTL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电压调整器 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:运算(电压)放大器 标准:半导体集成电路运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:模拟/混合集成电路 标准:GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:模拟/混合集成电路 标准:GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
检测项:输出高电平电流IOH 检测样品:模拟/混合集成电路 标准:GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3021
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3020
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.14条
机构所在地:江苏省无锡市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
检测项:输出高电平电源电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>