门极反向峰值电压检测实验

门尼粘度

简介

门尼粘度(Mooneyviscosity) 门尼粘度又称转动(门尼) 粘度，是用门尼粘度计测定的数值，基本上可以反映合成橡胶的聚合度与分子量。按照GB 1232标准规定，转动(门尼)粘度以符号Z100℃ 1+4 表示。其中Z—转动粘度值；1—预热时间为1min；4—转动时间为4min；100℃—试验温度为100℃，习惯上常以ML100℃ 1+4 表示门尼...查看详情>>

门尼粘度

简介

门尼粘度(Mooneyviscosity)

门尼粘度又称转动(门尼) 粘度，是用门尼粘度计测定的数值，基本上可以反映合成橡胶的聚合度与分子量。按照GB 1232标准规定，转动(门尼)粘度以符号Z100℃ 1+4 表示。其中Z—转动粘度值；1—预热时间为1min；4—转动时间为4min；100℃—试验温度为100℃，习惯上常以ML100℃ 1+4 表示门尼粘度。

门尼粘度测试方法：旋转法

门尼粘度测试仪器：门尼粘度计

检测项目

收起百科↑ 最近更新：2017年03月14日

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北京振兴计量测试研究所

检测项：门极电压检测样品：晶闸管标准：半导体器件第6部分晶闸管 GB/T15291-1994

检测项：门极电流检测样品：晶闸管标准：半导体器件第6部分晶闸管 GB/T15291-1994

检测项：反向击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

机构所在地：北京市更多相关信息>>

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3

检测项：反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3

检测项：门极触发电压检测样品：光耦合器标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

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西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：集射极反向击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3011.2

检测项：漏极反向电流检测样品：功率金属氧化物场效应管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1

检测项：漏极反向电流检测样品：功率金属氧化物场效应管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1

机构所在地：陕西省西安市更多相关信息>>

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西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：门极触发电压检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：反向电流检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：反向击穿电压检测样品：光电耦合器标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：反向击穿电压（V(BR)）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：反向漏电流（IR）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：反向击穿电压（V(BR)CEO）检测样品：电容器标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：门极触发电压检测样品：晶闸管标准：半导体器件第6部分晶闸管 GB/T15291-1994 第5.1.2 、5.1.5 、5.1.6、 5.1.7条

检测项：反向击穿电压检测样品：继电器标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.5-1982

检测项：集电极-发射极反向击穿电压检测样品：继电器标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82

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北京尊冠科技有限公司

检测项：门极触发电流和（或）电压（IGT、VGT）检测样品：运算放大器标准：GB/T17940-2000 《半导体器件集成电路第3部分:模拟集成电路》

检测项：反向电流（IR）检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》

检测项：集电极－基极截止电流（反向电流）（ICBO）检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-发射极饱和电压Vce(sat) 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

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中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：反向重复峰值电流IRRM 检测样品：闸流晶体管标准：GB/T 15291-1994 半导体器件第6部分：晶闸管

检测项：反向重复峰值电流IRRM 检测样品：闸流晶体管标准：GB/T 15291-1994 半导体器件第6部分：晶闸管

检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管标准：GB/T 15291-1994 半导体器件第6部分：晶闸管

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机械工业仪器仪表元器件质量检验所

检测项：反向击穿电压检测样品：光学零件镀膜减反射膜标准：JB/T 9478.12-1999光电池测量方法反向击穿电压

检测项：最大工作电压检测样品：光电池标准：JB/T 9478.2-1999光电池测量方法伏安特性

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