北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

检测项：输入负向阈值电压VIT- 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：阈值电压 检测样品：时基电路 标准：半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 GB/T 14030-1992

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：输出高电平阈值电压 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

检测项：输出低电平阈值电压 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

检测项：正向阈值电压下的输入电流 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：数字集成电路 标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路 第2部分 数字集成电路

检测项：输入负向阈值电压VIT 检测样品：数字集成电路 标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路 第2部分 数字集成电路

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅-源阈值电压VGS（th） 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅源阈值电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅源阈值电压 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：输入阈值电压和滞后电压 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分： 场效应晶体管 GB/T4586-1994

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>