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检测项:阈值电压 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法 3404
检测项:阈值电压 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法 3404
机构所在地:陕西省西安市
检测项:栅源阈值电压 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
机构所在地:湖北省宜昌市
机构所在地:北京市
机构所在地:河北省石家庄市
检测项:输入正向阈值电压 检测样品:电子元器件 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.4条
检测项:输入负向阈值电压 检测样品:电子元器件 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.5条
机构所在地:江苏省无锡市
检测项:栅源阈值电压(VGS(th)) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
机构所在地:陕西省西安市