武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极击穿 电压V（BR）EO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR) CBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR )EBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：集电极-基极 击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

检测项：集电极-基极 击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法

检测项：发射极-基极 击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条 第Ⅳ

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：光耦合器 标准：1、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：光耦合器 标准：1、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：光耦合器 标准：1、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：C、E间击穿 电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>