您当前的位置:首页 > 集电极-发射极暗电流或集电极-基极暗电流(适用时)ICBO
检测项:集电极-基极截止电流ICBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:暗电流 检测样品:光电池 标准:JB/T 9478.6-1999光电池测量方法 暗电流
检测项:全部参数 检测样品:电感式压力(或压差)传感器 标准:QJ 1505-1988电感式压力(或压差)传感器通用技术条件
机构所在地:辽宁省沈阳市
检测项:晶体管电特性测试 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:接触压降或电阻 检测样品:继电器、接触器 标准:飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980
机构所在地:贵州省遵义市