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检测项：最大输出电流，电压，伏安测试 检测样品：信息技术设 备（安全） 标准：CSA-C22.2 No. 60950-1-07/IEC/EN/UL 60950-1：2011 信息技术设备-安全-第一部分：通用要求
检测项：输出短路/过载测试 检测样品：家用和类似用 途电器 空调器 （安全） 标准：GB4706.1-2005 IEC 60335-1:2010 EN60335-1 :2012 家用和类似用途电器的安全 第1部分：通用要求;GB4706.32-2012 IEC 60335-2-40:2005 EN60335-2-40:2003家用和类似用
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：PON接口测试 检测样品：无源光网络（PON）接入设备 标准：接入网设备测试方法--吉比特的无源光网络(GPON)YD/T 1995-2009
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：10kHz~40GHz天线谐波和乱真输出辐射发射RE103 检测样品：军用设备和分系统 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB152A－1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A－1997 电磁干扰特性测量 MIL-STD-462D 电磁干扰发射和敏感度控制要求 MIL-STD-461D
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：二端口和输入/输出端子分开的一端口的SPD试验 检测样品：低压电涌保护器（SPD） 标准：低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法 EN 61643-11:2002+A11:2007低压浪涌保护装置 第11部分:接到低压配电系统的浪涌保护装置 要求和试验方法IEC 61643-11：2011
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：输出特性 检测样品：1.0级以下交直流电流表、电压表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》GB/T7676.1-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第2部分：电流表和电压表的特殊要求》 GB/T7676.2-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件
机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>
检测项：功能 检测样品：智能电能表 标准：多费率电能表 特殊要求 GB/T 15284-2002 多功能电能表通信协议DL/T 645-2007 0.2S级智能电能表技术规范 Q/GDW 357-2009 0.5S级智能电能表技术规范 Q/GD
机构所在地：青海省西宁市 更多相关信息>>
检测项：部分项目 检测样品：管形荧光灯用交流电子镇流器 标准：灯的控制装置 第1部分 一般要求和安全要求 GB 19510.1-2009/IEC 61347-1:2007 灯的控制装置 第4部分 管形荧光灯用交流电子镇流器的特殊要求
机构所在地：福建省厦门市 更多相关信息>>
检测项：厢体相关尺寸 参数 检测样品：厢式类 专用装置 标准：QC/T849-2011舞台车 QC/T 808-2009采血车技术条件 QC/T449-2010保温车、冷藏车技术条件及试验方法 QC/T22-1992 计量检测车 QC/T24-1992邮件运输车技术条件 QC/T41-1992 环境监测车 QC/T4
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：输出低电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：输出高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：输出低电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
