验电器清晰发光电压量检测实验

全自动化学发光测定仪

简介

全自动化学发光测定仪

简介

化学发光免疫分析仪器产品描述：通常由加样模块、反应模块、光学检测模块（光电倍增管）、数据处理模块、温育温控模块和清洗分离模块等中的一种或几种组成。原理一般为将化学发光反应发出的光信号转变为数字信号，由数据处理系统经过计算得出浓度值。

化学发光免疫分析仪器预期用途：与适配试剂配合使用，用于人体样本中待测物的定性和/或定量分析。

化学发光免疫分析仪器品名举例：全自动化学发光免疫分析仪、全自动电化学发光免疫分析仪、全自动化学发光测定仪、化学发光免疫分析仪

化学发光免疫分析仪器管理类别：Ⅱ

化学发光免疫分析仪器修改指导原则：
1、全自动化学发光免疫分析仪技术审查指导原则
2、半自动化学发光免疫分析仪注册技术审查指导原则

化学发光免疫分析仪器相关标准：
1、YY/T 1582-2018 胶体金免疫层析分析仪
2、YY/T 1533-2017 全自动时间分辨荧光免疫分析仪
3、YY/T 1529-2017 酶联免疫分析仪

化学发光免疫分析仪器相关检测项目：
1 . 测光值稳定性《半自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1174-2010》
2 . 线性范围《半自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1174-2010》
3 . 孔间干扰《半自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1174-2010》
4 . 最低响应值《半自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1174-2010》
5 . 外观《半自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1174-2010》
6 . 加样正确度与重复性《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
7 . 反应区温度控制的正确度和波动度《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
8 . 光检测装置部分《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
9 . 携带污染《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
10 . 临床项目的批内精密度《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
11 . 分析仪主要功能《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
12 . 外观《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
13 . 环境试验要求《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
14 . 安全要求《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》
15 . 电磁兼容性要求《全自动化学发光免疫分析仪： YY/T 1155-2019》

收起百科↑ 最近更新：2023年08月21日

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：电磁兼容性试验检测样品：过程测量和控制装置标准：过程测量和控制装置通用性能评定方法和程序第3部分：影响量影响的试验 GB/T 18271.3-2000

检测项：输入低电平电压检测样品：运算(电压)放大器标准：半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996

检测项：输出高电平电压检测样品：运算(电压)放大器标准：半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996

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上海半导体照明工程技术研究中心检测实验室

检测项：电压检测样品：发光二极管标准：SJ/T11394-2009 半导体发光二极管测试方法 JB/T10875-2008 发光二极管光学性能测试方法

检测项：电压检测样品：发光二极管标准：SJ/T11394-2009 半导体发光二极管测试方法 JB/T10875-2008 发光二极管光学性能测试方法

检测项：电压检测样品：发光二极管标准：SJ/T11394-2009 半导体发光二极管测试方法 JB/T10875-2008 发光二极管光学性能测试方法

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中国科学院半导体研究所照明检测中心

检测项：正向电压检测样品：发光二极管芯片标准：半导体发光二极管芯片测试方法 SJ11399-2009

检测项：正向电压检测样品：发光二极管芯片标准：LED 测量 CIE 127:2007

检测项：反向电流检测样品：发光二极管标准：半导体发光二极管测试方法 SJ11394-2009

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东莞勤上光电股份有限公司实验室

检测项：开关、寿命和发光维特性试验检测样品：灯具分布光度标准：GB/T 9468-2008 灯具分布光度测量的一般要求

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化抗扰性试验检测样品：一般照明用设备电压跌落标准：GB/T 17626.11:2008 IEC 61000-4-11:2004 EN 61000-4-11: 2004 电压暂降、短时中断和电压变化抗扰性试验

检测项：电压跌落检测样品：一般照明用设备电压跌落标准：GB/T 18595-2001 EN 61547-2009 IEC 61547-2009 一般照明用设备电磁兼容抗扰度要求

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上海精密计量测试研究所

检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：工作电压VZ 检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

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西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：反向击穿电压检测样品：光电耦合器标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：反向击穿电压检测样品：光电耦合器标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

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深圳信测标准技术服务股份有限公司

检测项：对异常电压和频率响应检测样品：光电器件(PV)系统标准：《光电器件(PV)系统.通用接口的特性》 IEC 61727: 2004; EN 61727: 1995

检测项：电压、电流和频率检测样品：光电器件(PV)系统标准：《光电器件(PV)系统.通用接口的特性》 IEC 61727: 2004; EN 61727: 1995

检测项：正常电压工作范围检测样品：光电器件(PV)系统标准：《光电器件(PV)系统.通用接口的特性》 IEC 61727: 2004; EN 61727: 1995

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机械工业仪器仪表元器件质量检验所

检测项：最大工作电压检测样品：光电池标准：JB/T 9478.2-1999光电池测量方法伏安特性

检测项：反向击穿电压检测样品：光学零件镀膜减反射膜标准：JB/T 9478.12-1999光电池测量方法反向击穿电压

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湖南航天管理局计量检测中心

检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：工作电压VZ 检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

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广州市鸿利光电股份有限公司实验室

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