上海精密计量测试研究所

检测项：低电平接触电阻 检测样品：低频电连接器 标准：GJB1216-1991 电连接器接触件总规范 QJ1903-1990电连接器总规范

检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：半导体集成电路采样/保持放大器 标准：GB/T14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理

检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》

检测项：输出低电平阈值电压VOLT 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》

检测项：输入低电平电流IIL 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：输出低电平电压 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输入低电平电流 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

检测项：输出低电平电压 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G 方法3006.1

检测项：输入低电平电流 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3010.1

检测项：输入低电平电压 检测样品：电子元器件 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.3条

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：输入低电平电压VIL 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

检测项：输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：输出低电平电压 检测样品：时基电路 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000

检测项：低电平输出电流 检测样品：时基电路 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2000

检测项：A/D数字输入低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：微电路测试方法 MIL-STD-883H:2010 方法4004.2

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

贵州振华群英电器有限公司试验检测中心

检测项：低电平负载切换寿命试验 检测样品：电子及电气元件 标准：《微电子器件试验方法》 GJB548B-2005

检测项：低电平 检测样品：塑封电磁继电器 标准：《塑封通用电磁继电器总规范》 GJB2449-1995

检测项：低电平 检测样品：混合和固体延时继电器 标准：《混合和固体延时继电器总规范》 GJB1513A-2009

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：输出低电平电压 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

检测项：输出低电平阈值电压 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

检测项：输入低电平电流 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：输出低电平电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输入低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第四十研究所质量监督检验中心

检测项：低电平寿命 检测样品：按钮开关 标准：GJB1512-1992按钮开关总规范4.7.31

检测项：电过负荷、电耐久性、中等电流、低电平寿命和温升 检测样品：钮子开关 标准：GJB1315-1991可靠断路钮子开关总规范4.7.6

检测项：电过负荷、电耐久性、中等电流、低电平寿命和温升 检测样品：钮子开关 标准：GJB2450-1995非密封钮子开关总规范4.8.6

机构所在地：安徽省蚌埠市 更多相关信息>>