击穿电压测定检测实验

妇科检查器械

简介

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阴道荧光检查棒产品描述：通常由玻璃管、塑料管和医用胶带组成。玻璃管通常装有过氧化氢混合物，塑料管内通常装有草酸盐溶液。所含成分不具有药理学作用。

阴道荧光检查棒预期用途：一种化学发光的照明光源，作为进行阴道荧光视诊时的照明光源。用于临床妇科阴道常规检查、宫颈癌及癌前病变筛查。

阴道荧光检查棒品名举例：阴道荧光检查棒

阴道荧光检查棒管理类别：Ⅰ

排卵测定仪产品描述：通常由光学镜头组件、外罩组件和照明装置组成。

排卵测定仪预期用途：用于测定妇女排卵期。

排卵测定仪品名举例：排卵测定仪

排卵测定仪管理类别：Ⅱ

妇科检查器械相关标准：
1、GB/T 15261-2008 超声仿组织材料声学特性的测量方法
2、YY/T 1084-2015 医用超声诊断设备声输出功率的测量方法
3、YY/T 1420-2016 医用超声设备环境要求及试验方法

收起百科↑ 最近更新：2023年06月26日

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：栅源击穿电压检测样品：VDMOS管标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3401.1

检测项：电压调整率和电压稳定系数检测样品：半导体集成电路电压调整器标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理　 GB/T 4377-1996

检测项：输出电压长期稳定性检测样品：半导体集成电路电压调整器标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理　 GB/T 4377-1996

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云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：集电极-基极击穿电压检测样品：半导体集成运算放大器标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理

检测项：击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

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金发科技股份有限公司分析测试中心

检测项：耐电压测试检测样品：电绝缘材料标准：在工业用电频率时实心电绝缘材料的介电击穿电压与介电强度的试验方法ASTM D149：2009（2013）

检测项：耐电压测试检测样品：电绝缘材料标准：塑料吸水性的测定 ISO62:2008

检测项：甲醛散发测定检测样品：锑及三氧化二锑标准：聚合材料甲醛散发测定 PV3925:1994

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

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中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

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中国石油化工股份有限公司北京燕山分公司树脂应用研究所树脂检测实验室

检测项：电气强度检测样品：塑料标准：固体电绝缘材料在商用电源频率下的介电击穿电压和介电强度的标准试验方法 ASTM D149-09（2013）

检测项：分子量和分布检测样品：塑料标准：塑料-动态力学性能的测定-第10部分：使用平板振荡流变仪测定复数剪切粘度 ISO 6721-10:1999(E)

检测项：门尼粘度检测样品：橡胶及制品标准：未硫化橡胶用圆盘剪切粘度计进行测定第1部分：门尼粘度的测定 GB/T 1232.1-2000

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广东省电子电器产品监督检验所

检测项：击穿电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度检测样品：电子电气设备标准：电磁兼容试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 GB/T 17626.11-2008 IEC 61000-4-11:2004 EN 61000-4-11:2004

检测项：电压波动和闪烁检测样品：电子电气设备标准：电磁兼容限值对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007 IEC 61000-3-3 2005 EN 61000-3-3:2008

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：击穿电压检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：反向击穿电压检测样品：电容标准：电子设备用固定电容器第1部分：总规范 GB/T2693-2001

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：击穿电压 V（BR）检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

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