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检测项:开门恢复时间 检测样品:二氧化碳培养箱 标准:医用二氧化碳培养箱 YY/T 1621-2018 4.8
检测机构:医疗器械检测研究院 更多相关信息>>
检测机构:医药医疗器械检测中心 更多相关信息>>
检测项:非易失性存储器写入寿命 检测样品:智能电能表软件 标准:Q/GDW11680-2017 智能电能表软件可靠性技术规范
检测机构:国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>
检测项:擦/读/写稳定性 检测样品:纯电动乘用车控制芯片 标准:纯电动乘用车控制芯片功能环境试验方法 T/CSAE 225-2021 6.3.1
检测机构:国家新能源汽车检测中心 更多相关信息>>
检测项:写周期时间tWC 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
检测项:采样-保持失调电压VOS 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:系统恢复时间和设备的故障恢复时间 检测样品:以太网交换机 标准:《以太网交换机测试方法》 YD/T 1141-2007
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:系统恢复时间和设备故障恢复时间 检测样品:以太网交换机 标准:以太网交换机测试方法 YD/T 1141-2007
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输出高电平电压VOH 检测样品:存储器 标准:《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》SJ/T 10739-1996
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:静态参数 检测样品:MOS随机存储器 标准:半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项:动态参数 检测样品:MOS随机存储器 标准:半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项:静态参数 检测样品:双极性随机存储器 标准:半导体集成电路双极型随机存储器器测试方法的基本原理 SJ/T 10740-1996
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:5.1 读 5.2 写 5.3 扇区选择 5.4 标志位字符和非标志位字符 检测样品:通信设备(射频性能) 标准:NFC论坛Type 2标签操作规范1.1 (2011)
检测项:9.1 序列格式 9.2 位编码 9.3 数据帧格式 9.4 数据和负载格式 9.5 指令集 9.6 读模式 9.7 写模式 9.8 扇区选择性 9.9 时序要求 10.1 序列格式 10.2 位编码 10.3 数据帧格式 10.4 数据和负载格式 10. 检测样品:通信设备(射频性能) 标准:NFC论坛的数字协议技术规范1.0 (2010)