您当前的位置:首页 > 整流模块负载效应
检测项:栅-源击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:漏-源通态电阻 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:零栅压漏极电流 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
机构所在地:湖北省宜昌市
机构所在地:湖北省武汉市
检测项:产品能效 检测样品:信息技术设备、通信设备(能效) 标准:通信产品能效:DC供电设备的测试方法和报告 - 整流器要求 ATIS-0600015.04.2010
机构所在地:广东省深圳市